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三維光學(xué)輪廓儀
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S neoxsensofar3D共聚焦助力半導(dǎo)體芯片表面檢測(cè)





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sensofar3D共聚焦助力半導(dǎo)體芯片表面檢測(cè)在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域,芯片表面的微觀形貌與平整度直接影響器件的性能與可靠性。從晶圓的納米級(jí)粗糙度測(cè)量,到芯片封裝后的焊點(diǎn)高度檢測(cè),再到電路布線的輪廓精度把控,都需要對(duì)微觀表面進(jìn)行細(xì)致觀察與分析。
sensofar3D共聚焦助力半導(dǎo)體芯片表面檢測(cè)在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域,芯片表面的微觀形貌與平整度直接影響器件的性能與可靠性。從晶圓的納米級(jí)粗糙度測(cè)量,到芯片封裝后的焊點(diǎn)高度檢測(cè),再到電路布線的輪廓精度把控,都需要對(duì)微觀表面進(jìn)行細(xì)致觀察與分析。Sensofar 新型 3D 共聚焦白光干涉光學(xué)輪廓儀 S neox,憑借對(duì)微觀表面的精準(zhǔn)成像與輪廓分析能力,成為半導(dǎo)體芯片表面檢測(cè)的實(shí)用工具,為保障芯片制造質(zhì)量提供支持。
半導(dǎo)體芯片的表面結(jié)構(gòu)復(fù)雜,不同環(huán)節(jié)的檢測(cè)需求各有側(cè)重。晶圓在拋光后,表面粗糙度需控制在納米級(jí)別,若粗糙度超標(biāo),會(huì)影響后續(xù)光刻工藝的精度;芯片封裝過程中,焊點(diǎn)的高度與形態(tài)若存在差異,可能導(dǎo)致電路連接不穩(wěn)定;電路布線的邊緣輪廓若不規(guī)整,易引發(fā)信號(hào)傳輸干擾。傳統(tǒng)的檢測(cè)方式如原子力顯微鏡,雖能實(shí)現(xiàn)高精度測(cè)量,但檢測(cè)速度較慢,難以滿足批量生產(chǎn)中的高效檢測(cè)需求;而光學(xué)顯微鏡僅能提供二維圖像,無法獲取三維輪廓信息。S neox 通過 3D 共聚焦白光干涉技術(shù),可同時(shí)兼顧測(cè)量精度與檢測(cè)效率,既能呈現(xiàn)清晰的三維表面輪廓,又能在短時(shí)間內(nèi)完成批量樣品的檢測(cè)。
sensofar3D共聚焦助力半導(dǎo)體芯片表面檢測(cè)
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