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Sensofar在半導(dǎo)體晶圓薄膜厚度測量中的應(yīng)用

產(chǎn)品簡介

Sensofar在半導(dǎo)體晶圓薄膜厚度測量中的應(yīng)用
Sensofar?S?neox 通過 4?in?1 光學(xué)技術(shù)(共聚焦、白光干涉、多焦面疊加、光譜反射)實現(xiàn)對晶圓薄膜的非接觸、亞納米級厚度測量。以下從測量原理、典型案例、操作流程、數(shù)據(jù)輸出四個維度展開說明。

產(chǎn)品型號:S?neox
更新時間:2025-10-23
廠商性質(zhì):代理商
訪問量:54
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 Sensofar在半導(dǎo)體晶圓薄膜厚度測量中的應(yīng)用

Sensofar?S?neox 通過 4?in?1 光學(xué)技術(shù)(共聚焦、白光干涉、多焦面疊加、光譜反射)實現(xiàn)對晶圓薄膜的非接觸、亞納米級厚度測量。以下從測量原理、典型案例、操作流程、數(shù)據(jù)輸出四個維度展開說明。

1. 測量原理

  • 白光干涉 + 光譜擬合:利用寬譜白光照射薄膜,采集反射光譜后與多層膜模型進行最小二乘擬合,直接得到每層厚度。該方法在 50?nm–5?mm 范圍內(nèi)均可工作,適配高折射率或高吸收材料。

  • 共聚焦顯微:在薄膜表面進行高 NA(0.95)共聚焦掃描,提供 0.10?µm 橫向分辨率,確保測量點的定位精度,尤其在薄膜邊緣或局部缺陷處發(fā)揮作用。

  • 多焦面疊加:對斜率超過 70° 的晶圓鍵合界面仍能保持測量完整性,避免傳統(tǒng)干涉儀因視角限制產(chǎn)生盲區(qū)。

2. 典型工業(yè)案例

案例薄膜材料厚度范圍精度關(guān)鍵技術(shù)
二氧化硅掩膜厚度SiO?40?nm–80?nm±1?nm反射光譜 + 多層模型擬合
金屬互連層Cu / Al0.2?µm–2?µm±0.3?nm共聚焦 + 白光干涉雙模式
高k 介電層HfO?5?nm–30?nm±0.5?nm光譜干涉 + 多焦面疊加

這些案例表明 S?neox 能在傳統(tǒng)接觸式輪廓儀噪聲 5?nm RMS 以上的情況下,提供更低的測量噪聲并顯著提升測量速度(相同面積約提升 8 倍)。

3. 操作流程(簡要)

  1. 系統(tǒng)預(yù)熱 & 自動校準:通電后 10?min 完成光路自校準,確保 Z 軸零點與光學(xué)中心對齊。

  2. 樣品裝載:將 300?mm 直徑晶圓放置在 XY 臺上,使用傾斜平臺將晶圓平面調(diào)平至 ≤?0.5°。

  3. 模式選擇:在 SensoMAP 軟件中選擇“薄膜厚度(光譜干涉)",系統(tǒng)自動加載對應(yīng)材料庫(SiO?、Si?N?、TiN 等)。

  4. 參數(shù)設(shè)定:設(shè)定測量點陣(如 10?mm?×?10?mm 區(qū)域 100?×?100 點),選擇掃描速度 3?mm?/?s。

  5. 測量執(zhí)行:點擊“開始",系統(tǒng)同步采集光譜、共聚焦圖像并實時生成厚度分布圖。

  6. 結(jié)果處理:軟件自動計算 ISO?25178?2 參數(shù)(Sa、Sq、Sz),并生成 PDF 報告與 Excel 數(shù)據(jù)表。

  7. 校準與維護:每 200?h 使用標準厚度片(已知 SiO? 80?nm)進行一次全系統(tǒng)校準,確保長期重復(fù)性 ≤?0.01?nm RMS。

4. 數(shù)據(jù)輸出與質(zhì)量控制

  • 厚度映射圖:全晶圓 2?D 顏色映射,支持 0.1?µm 顏色分辨率。

  • 統(tǒng)計報告:均值、標準差、最大偏差、均勻性(%)等關(guān)鍵指標。

  • 缺陷標記:自動識別局部厚度異常(>?±3?σ)并在圖上標注,便于后續(xù)工藝調(diào)節(jié)。

  • 接口輸出:CSV、XML、OPC?UA 接口,可直接對接 MES 系統(tǒng),實現(xiàn)在線 SPC(統(tǒng)計過程控制)。

5. 與傳統(tǒng)方法的對比優(yōu)勢

項目S?neox傳統(tǒng)接觸式輪廓儀 / 單點橢圓儀
非接觸???
測量范圍50?nm–5?mm0.5?µm–2?mm
橫向分辨率0.10?µm0.5?µm
斜率適應(yīng)≤?86°≤?30°
測量速度8?×?提升(全片 3?s)需點陣掃描,耗時長
重復(fù)性≤?0.01?nm RMS0.1?nm RMS

6. 小結(jié)

S?neox 將光譜干涉、共聚焦與多焦面疊加技術(shù)有機結(jié)合,能夠在保持高精度的同時,實現(xiàn)對大尺寸晶圓的快速全片厚度測量。其模塊化的軟件與硬件設(shè)計,使得不同薄膜材料(氧化物、氮化物、金屬)均可通過材料庫快速切換,滿足半導(dǎo)體前段(沉積、刻蝕)與后段(鍵合、封裝)全流程的厚度監(jiān)控需求。通過與 MES 系統(tǒng)的無縫對接,S?neox 進一步提升了工藝良率與產(chǎn)線自動化水平。

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